GB/T19444-2004 GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
标准编号：GB/T 19444-2004 时间：2004-02-05 大小：KB 浏览次数：78 下载次数：22| 资料名称： | GB/T19444-2004 GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 | |
| 标准类别： | 国家标准 | ||
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 文件类型： | .rar | ||
| 整理时间： | 2004-02-05 | ||
| 授权方式： | 免费下载 | ||
| 下载方式： | FTP下载 | ||
| 等 级： |  |
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| 标准状态： | （仅供参考） | ||
| 作废日期： | （仅供参考） | ||
| 实施日期： | 2004-07-01（仅供参考） | ||
| 浏览次数： | 78次 |
| 标准简介： | GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 国家标准(GB) GB/T19444-2004 本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。 标准压缩包解压密码：www.51zbz.com |
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| 标准编号： | GB/T 19444-2004 正在载入地址 | |
| 标准名称： | 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 | |
| 英文名称： | Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction（仅供参考） | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | ASTM F1239-1994 IDT（仅供参考） | |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 页 数： | 16开， 页数：5， 字数：9千辽（仅供参考） | |
| 首发日期： | 2004-02-05（仅供参考） | |
| 复审日期： | 2004-10-14（仅供参考） | |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会（仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所（仅供参考） | |
| 相关标准： | 无相关信息 | |
| 下载次数： | 22次 | |
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