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GB/T4326-2006 GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

标准编号:GB/T 4326-2006 时间:2006-07-18 大小:KB 浏览次数:192 下载次数:37
资料名称: GB/T4326-2006 GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准类别: 国家标准
语  言: 简体中文
文件类型: .rar
整理时间: 2006-07-18
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标准状态: (仅供参考)
作废日期: (仅供参考)
实施日期: 2006-11-01(仅供参考)
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标准简介: GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 国家标准(GB) GB/T4326-2006 本标准规定的测量方法适用于非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达104Ω·cm

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标准编号: GB/T 4326-2006 正在载入地址
标准名称: 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
英文名称: Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient(仅供参考)
替代情况: 替代GB/T 4326-1984(仅供参考)
采标情况: ASTM F76 NEQ(仅供参考)
发布部门: 国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会(仅供参考)
页  数: 15页(仅供参考)
首发日期: 1984-04-12(仅供参考)
复审日期: (仅供参考)
提出单位: 中国有色金属工业协会(仅供参考)
归口单位: 全国有色金属标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: 中国有色金属工业协会(仅供参考)
起草单位: 北京有色金属研究总院(仅供参考)
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