SJ20011-1992 SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准编号：SJ 20011-1992 时间：1992-02-01 大小：KB 浏览次数：33 下载次数：8| 资料名称： | SJ20011-1992 SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 | |
| 标准类别： | 行业标准 | ||
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 文件类型： | .rar | ||
| 整理时间： | 1992-02-01 | ||
| 授权方式： | 免费下载 | ||
| 下载方式： | FTP下载 | ||
| 等 级： |  |
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| 标准状态： | （仅供参考） | ||
| 作废日期： | （仅供参考） | ||
| 实施日期： | 1992-05-01（仅供参考） | ||
| 浏览次数： | 33次 |
| 标准简介： | SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20011-1992 本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。 标准压缩包解压密码：www.51zbz.com |
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| 标准编号： | SJ 20011-1992 正在载入地址 | |
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 | |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes（仅供参考） | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 页 数： | 8页（仅供参考） | |
| 首发日期： | （仅供参考） | |
| 复审日期： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所（仅供参考） | |
| 相关标准： |
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| 下载次数： | 8次 | |
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